Atomically precise placement of single dopants in si

We demonstrate the controlled incorporation of P dopant atoms in Si(001), presenting a new path toward the creation of atomic-scale electronic devices. We present a detailed study of the interaction of PH3 with Si(001) and show that it is possible to thermally incorporate P atoms into Si(001) below the H-desorption temperature. Control over the precise spatial location at which P atoms are incorporated was achieved using STM H lithography. We demonstrate the positioning of single P atoms in Si with approximately 1 nm accuracy and the creation of nanometer wide lines of incorporated P atoms.     

Compactness and collective compactness in spaces of compact operators

This is a study of compactness in (a) spaces K_b(X, Y) of compact linear operators, (b) injective tensor products $\text{X}\text{}\text{?}\text{bo}{}_{\mathrm{?}}\text{Y}$, and (c) spaces L_c(X, Y) of continuous linear operators, and its various relationships with equicontinuity and collective compactness. Among the applications is a result on factoring compact sets of compact operators compactly and uniformly through one and the same reflexive Banach space.     

Freezing the polarization of CH3NH3PbI3 and CH3NH3PbI3-xClx perovskite films

Thin films of methylammonium lead halides, CH₃NH₃PbI₃ and CH₃NH₃PbI_3-xCl_x, were deposited onto symmetrical microstructured electrode arrays of gold or platinum on Si/SiO₂ wafers. Polarization studies were carried out on perovskite films under vacuum in the dark. For poling, a constant voltage was applied to the samples while the temperature was cycled between 295 K and 4 K. The measured current densities depending on the temperature showed distinct characteristics relating strongly to the crystal phase and the dielectric properties of the perovskite films. Voltage sweeps were carried out at different scan rates at specific temperature intervals after poling. The polarization of the films due to the migration of iodide vacancies in direction of the blocking perovskite/metal interface was frozen almost up to room temperature. Charge carriers were only able to cross the blocking barrier and contribute to the current where the ions have accumulated during poling. All J-V curves showed hysteresis: inverted and regular hysteresis at room temperature and below, respectively. Inverted hysteresis originates from the slow accumulation of ions at the blocking barrier, while regular hysteresis arises from a distortion in the adjacent crystals which will be discussed.     

Über die Struktur des Glanzkohlenstoffs

Zusammenfassung Die Kristalldimensionen des Glanzkohlenstoffs wurden aus der Interferenzverbreiterung berechnet. Dabei wurden etwas kleinere als die früher angegebenen Werte gefunden. Der Glanzkohlenstoff bleibt aber nach seiner Kristallgröße in der Reihe der feinkristallinen Kohlenstoffe, entsprechend seiner Entstehungstemperatur zwischen den Russen und dem Retortengraphit.Durch Röntgenaufnahmen orientierter Blättchen und Nadeln von zwei verschiedenen Glanzkohlenstoffen, die deutlich (00l) Textur zeigen, wurde nachgewiesen, daß die Einzelkristalle weitgehend einheitlich mit den Basisflächen parallel zur Oberfläche der Glanzkohlenstoffblättchen gelagert sind. Durch diese Ordnung werden die besonderen Eigenschaften, wie Hochglanz, Härte und chemische Widerstandsfähigkeit, erklärt.Das Auftreten einer Interferenz, die dem doppelten Schichtabstand (d=6.9 Å) entspricht, wurde durch die ungerade Zahl der Schichtebenen bei den sehr kleinen Kristallen zu deuten gesucht.Die starke Streuschwärzung feinkristalliner Kohlenstoffe bei sehr kleinen Winkeln (Kleinwinkelstreuung) läßt sich als interkristalline Interferenz deuten und ebenfalls zur Bestimmung der Kristallgröße auswerten. Die so ermittelten Werte und ihre Änderung bei orientierten Blättchen waren in guter Übereinstimmung mit den aus der Interferenzverbreiterung errechneten Werte. Diese Übereinstimmung stützt gleichzeitig die Annahme dichter Lagerung der Einzelkristalle im Glanzkohlenstoff.Herrn Prof.U. Hofmann bin ich für die Anregung zu dieser Arbeit und für die eingehende Diskussion der Ergebnisse besonderen Dank schuldig.Mit 4 Abbildungen     

Visible-Light-Driven Strain-Increase Ring Contraction Allows the Synthesis of Cyclobutyl Boronic Esters

There are a limited number of ring-contraction methodologies which convert readily available five-membered rings into strained four-membered rings. Here we report a photo-induced radical-mediated ring contraction of five-membered-ring alkenyl boronate complexes into cyclobutanes. The process involves the addition of an electrophilic radical to the electron-rich alkenyl boronate complex, leading to an α-boryl radical. Upon one-electron oxidation, ring-contractive 1,2-metalate rearrangement occurs to give a cyclobutyl boronic ester. A range of radical precursors and vinyl boronates can be employed, and chiral cyclobutanes can be accessed with high levels of stereocontrol. The process was extended to the preparation of benzofused cyclobutenes and the versatility of the boronic ester was demonstrated by conversion to other functional groups.     

Weak compactness in projective tensor products of Banach spaces

Contrary to a recent conjecture, it is shown that weakly compact subsets of the projective tensor product of Banach spaces X and Y in general are not contained in the closed absolutely convex hull of a tensor product A ⊗ B of weakly compact subsets A of X and B of Y.